Ýarymgeçirijili wafer önümçiliginde litografiýa prosesi çipleriň çykarylyşyny kesgitleýän möhüm, takyklyk bilen dolandyrylýan ädimdir. Wafer öndürmek prosesinde "ekspozisiýa we suratlandyryşyň esasy" hökmünde litografiýa tutuş iş akymyny - şol sanda aýlanma örtügini, ekspozisiýany, işläp çykarmagy, aşyndyrmagy we çygly arassalamagy öz içine alýar we daşky gurşawyň arassalygyna, hapaçylyk gözegçiligine, elektrostatik goraga we himiki garşylyga örän berk talaplary goýýar. Mikron derejesindäki tozan bölejikleri, yzly ionlaryň göçmegi we wagtlaýyn elektrostatik boşalmalar bularyň hemmesi gönüden-göni fotorezist kemçiliklerine, nagyşlaryň deňleşdirilmezligine, waferleriň oksidlenmegine we zynjyrlarda mikro gysga zynjyrlara sebäp bolup biler, bu bolsa tutuş waferleriň zaýalanmagyna we önümçilikde uly ýitgilere sebäp bolýar. Köp FAB-lar fotolitografiýa prosesleriniň çykarylyşyny ýokarlandyrmak üçin göreşýärler. Enjamlar, prosesler we daşky gurşaw parametrleri tertipli bolsa-da, kynçylyk köplenç el goragynyň sarp edilişiniň ähmiýeti az ýaly görünýän zatlarda bolýar. Adaty 1000-nji synp ýa-da senagat derejeli arassa otag ellikleri fotolitografiýa prosesiniň örän ýokary standartlary üçin düýbünden ýaramsyzdyr.
Litografiýa prosesinde näme üçin adaty arassa otag elliklerini ulanmak berk gadagan edilýär?
Toz galyndylary fotorezist hapalanmagyna sebäp bolýar
Aşa köp kükürt we hlorid ionlary plastinlerdäki zynjyrlary poslaýar
Statik elektrik gözegçilikden çykyp, takyk fotolitografiýa plastinkasynyň döwülmegine sebäp boldy
Öndüriş prosesinde daşary ýurt maddalarynyň kemçiliklerine sebäp bolýan gabyklanma we dökülme
LjieClean 100 klasy poroşoksyz nitril ellikler
“Suzhou Leader” ýarymgeçiriji wafli öndürmek pudagyna we litografiýa prosesinde kynçylyk döredýän nokatlara ünsi jemläp, biz wafli litografiýa prosesiniň önümçilik talaplaryna doly laýyk gelýän ýöriteleşdirilen 100-nji synp poroşoksyz, az gaz çykarýan nitril ellikleri işläp düzdik, bu bolsa olary köp sanly fabrikalar we wafli gaplama we synag kompaniýalary üçin iň gowy gorag sarp ediş materiallaryna öwürýär.
1. Dihlorid esasly poroşoksyz proses: fotolitografiýa prosesinde poroşok hapalanmasy ýok
Ýarymgeçirijilere mahsus hlorlaşdyrma arassalaýyş prosesini ulanmak bilen, bu usul tutuş prosesde talk, mekgejöwen krahmaly ýa-da silikon ýagy ýaly kömekçi goşundylar goşmagy talap etmeýär. Ol prosesiň özünde ýumşak ulanylmagyny üpjün edýär, çeşmede fotorezisti hapalaýan poroşok bölejiklerini we silikon ýagynyň galyndylaryny ýok edýär, şeýlelik bilen fotolitografiýa prosesinde daşary ýurt bölejikleriniň kemçiliklerini doly çözýär.
2 Köp tapgyrly ultra arassa suw bilen çaýkamak kükürtiň, hloruň we ionlaryň az mukdaryny üpjün edýär
Ýokary arassa suw bilen çuňňur çaýkamagyň birnäçe siklleri arkaly çig mal goşundylary we ýüzdäki galyndylary aýrylýar. Kükürtiň, hloruň we ereýän metal ionlarynyň mukdary berk gözegçilikde saklanýar, bu bolsa pes NVR (uçmaýan galyndy) döredýär. Bu bolsa waferleriň oksidlenmeginiň, örtükleriň korroziýasynyň we aşınma kemçilikleriniň öňüni alýar, ellikleri 8 we 12 dýuýmlyk waferler üçin talap edilýän litografiýa proseslerine doly laýyk gelýär.
Elektrostatik duýgur plitalary goramak üçin 3 sany kalyp içinde üýtgedilen ESD goragy
Wagtlaýyn püskürtme örtükleri bolan täjirçilik taýdan elýeterli antistatik elliklerden tapawutlylykda, Gonars nitril esasly materialda galypdaky antistatik modifikasiýa tehnologiýasyny ulanýar. Bu, fotorezistiň döwülmegine we takyk wafer zynjyrlaryna zyýan ýetirip biljek statik toplanmanyň öňüni almak üçin tutuş prosesde statik elektrik energiýasyny üznüksiz ýaýradyp, durnukly we deň ýüz garşylygyny üpjün edýär. Ol ekspozisiýa we ösüş ýaly esasy litografiýa tapgyrlary üçin amatlydyr.
4 Çeýe we berk oturýar, Mikron derejesindäki takyk operasiýalar üçin amatly
Ellik materialy çeýe we eliniň konturlaryna laýyk gelýär. Barmak uçlarynda taýmaýan teksturaly dizaýn bilen, ol ýeňil we göwrümli däl, bu bolsa ony fotolitografiýa waferlerini ulanmak, enjamlary sazlamak we takyk barlag ýaly takyk amallar üçin amatly edýär. Ol çäklendirilmedik hereketi üpjün edýär we taýmamagyň öňüni alýar, el amallary wagtynda tötänleýin döňňemeleriň ýetiren zyýanyny netijeli azaldýar. Mundan başga-da, ol fotolitografiýa erginlerine we ýumşak kislotalara we alkalilere çydamlydyr we uzak wagtlap ulanylanda hem könelmezden ýa-da ýyrtylmazdan berk galýar.
5
✅ Iki gatlakly wakuum bilen möhürlenen gaplama ikinji derejeli hapalanmany aradan aýyrýar
Taýýar önümler tutuş prosesde 100-nji synp arassa otagynda iki gatlakly wakuum bilen möhürlenen gaplama arkaly gaplanýar, bu bolsa olary saklamak we daşamak wagtynda tozandan we çyglylykdan doly gorap saklaýar. Gaplamany açanyňyzda ikinji derejeli hapalanma bolmaýar, bu bolsa olary 100-nji synp litografiýa arassa otaglarynda derrew ulanmaga mümkinçilik berýär.
Ýerleşdirilen wagty: 2026-njy ýylyň 23-nji iýuly